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参数目录39831
> NTMS7N03R2G MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
型号:
NTMS7N03R2G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTMS7N03R2G PDF
产品变化通告
Wire Change 20/Aug/2008
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1190pF @ 25V
功率 - 最大
800mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
标准包装
其它名称
NTMS7N03R2GOSDKR
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NTMS7N03R2G
ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
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